老鹰半导体汪德鹏谈GaAs+InP双材料布局：单波300G InP PD带宽突破59GHz

在CIOE2026期间，老鹰半导体首次完整展示InP系列PIN PD、CW与DFB产品，正式宣布完成GaAs（砷化镓）与InP（磷化铟）双材料体系战略布局，形成覆盖短距到中长距、收发两端的光芯片产品矩阵。公司总经理汪德鹏接受光纤在线专访，介绍了产品规格与产业化节奏。 GaAs体系主打VCSEL与PD芯片，面向数据中心内部短距高密度互连及NPO/LPO近封装光学方案；InP体系涵盖高速PIN PD、CW DFB激光器，聚焦中长距高速光传输。公司称产品可匹配1.6T及下一代更高速率光模块的迭代需求。 本次展会首发的单波300G InP PIN PD高速接收芯片，与是德科技完成实时动态Demo联合测试，实测3dB带宽突破59GHz，可满足单波300G PAM4信号接收，并为1.6T、3.2T光模块预留性能裕量。该芯片暗电流低于1nA，响应度稳定在0.7A/W。同场展出的CW DFB激光器覆盖70mW、100mW等主流高功率型号，GaAs平台的NPO VCSEL阵列芯片面向芯片级高密度光互连发射端。 产业化方面，公司GaAs体系产品已规模化商用：2024年实现单波100G VCSEL芯片量产，2025年推进单波200G VCSEL研发；50G、100G高速光芯片持续批量供货全球头部光模块厂商，CW产品获行业主流客户认可。随着InP系列PD、DFB产品落地量产，公司称已成为国内少数同时具备GaAs与InP双材料体系自研、量产全流程能力的光芯片企业。 汪德鹏判断，当前高端高速光芯片市场呈需求高速扩容、高端供给仍集中于海外厂商的结构，这为具备自主研发与量产能力的国内企业留出国产替代窗口。他也提到技术迭代快、客户认证严苛、量产一致性与规模化产能保障是主要壁垒，双材料布局正是为灵活适配不同速率与传输距离的全场景光互连需求。