苏州凌存科技完成A轮融资：硅电容已量产导入，MeRAM仍在产业化推进

苏州凌存科技有限公司宣布完成A轮融资，毅达资本、新微资本、元禾重元等机构入局。这家成立不足三年的公司采取双轨并行策略：用高性能硅电容切入高端封装市场获取营收，同时以电压控制磁性技术（VCMA）布局下一代存储。 在AI芯片、光模块及射频前端对电源完整性要求日益严苛的背景下，传统MLCC在高频、小尺寸场景下的物理极限已现。凌存科技利用半导体后段工艺开发硅电容，包括VE、UB、HD、HQ系列，凭借超低寄生电感和高集成度，卡位Chiplet与2.5D/3D先进封装的痛点。据产业链消息，已实现量产导入的UB系列是公司当前商业化进展最明确的产品线之一，被视为其“现金牛”。 本轮融资资金明确用于工艺推进、流片及生产研发。从资金投向看，硅电容的扩产、良率爬坡以及更多头部客户验证，是支撑公司短期估值的核心逻辑。但硅电容赛道竞争并不轻松：村田、TDK等MLCC巨头正通过薄膜工艺反击，硅基工艺的高成本与晶圆级制造的良率控制也是持续压力，能否在扩产同时维持健康毛利，是从“有营收”走向“有利润”的关键。 MeRAM则承担更长期的技术想象。凌存科技的核心技术壁垒在于VCMA效应，相比主流STT-MRAM，MeRAM理论上可通过电场控制磁各向异性大幅降低写入功耗，在边缘计算和低功耗物联网场景具备吸引力。目前MeRAM仍处于产业化推进阶段，写入错误率控制、无外磁场下自由层切换稳定性以及大容量阵列均一性，仍是全球该赛道玩家共同面临的难题。公司已完成8英寸和12英寸流片，但从流片成功到良率达标、再到构建完整IP生态，仍有很长的路要走。