专访迈姆思潘尧：不走离子注入，SOI晶圆如何差异化破局

在第十六届国际纳米技术产业博览会期间，苏州迈姆思半导体科技有限公司总经理潘尧接受专访，介绍了公司在硅光SOI晶圆上的差异化路径。迈姆思生产硅光互联SOI晶圆和异质材料键合产品，产品呈两层硅夹一层二氧化硅的“三层三明治”结构，需经10步工艺，核心环节是键合。公司只做工程基底、不生产器件，下游客户购买基底后自行流片。 潘尧表示，硅光行业必须使用SOI，因为光传播依赖中间的二氧化硅绝缘层，SOI在硅光互联中不可替代；使用SOI还能减少寄生电容、提升良率。与传统路线不同，迈姆思做硅光SOI不采用离子注入，相关专利多集中在海外厂商，国内厂商往往需要授权。迈姆思改用研磨抛光（CMP）方式减薄器件层，顶层硅均匀性做到±0.1微米以内，器件层厚度在100纳米到2微米之间均可不用离子注入，而行业内其他路线在2微米以下多采用离子注入。 成本方面，潘尧称产品售价是普通硅片的20到30倍，但材料成本对最终器件几乎可以忽略，SOI带来的良率提升往往比材料成本增加更划算；一台离子注入设备约需5000万元，而研磨抛光路线成本更低、效率更高。产能上，公司已在苏州纳米城形成一定量产规模，当前行业供不应求，正规划推进12英寸SOI晶圆产线，扩产难点主要是资金和人才。 除SOI外，迈姆思将异质材料键合视为更大空间的方向，已与国内氧化镓材料企业达成战略合作。SOI采用1200℃高温键合，异质材料键合须控制在200℃以内低温，低温下保证键合强度是核心难点。公司目前已能做氮化硅与铌酸锂、氧化镓与硅等十几种异质材料键合，部分方案已交付客户，1-2周即可完成交付。 潘尧介绍，团队在该领域有30年以上积累，与多家海外知名芯片及系统厂商合作，海外客户按规格书对接，产品满足规格即被采用。国内产业链方面，设备与原材料并未受限，公司进口与国产设备结合，清洗、量测、氧化环节已国产化，原材料为普通硅片；真正稀缺的是新材料深度加工能力。团队2012年曾因缺乏应用场景赴美创业，2021年带同一项目回国落地，目前已获早期融资支持，并持续对接资本市场。