迈姆思称硅光SOI晶圆绕开离子注入路线并已量产
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迈姆思称硅光SOI晶圆绕开离子注入路线并已量产
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AI 综述
苏州迈姆思半导体总经理潘尧称，公司生产硅光SOI晶圆不采用离子注入工艺，绕开海外厂商主导的专利授权路线，器件层厚度可覆盖100纳米至2微米，顶层硅均匀性在±0.1微米以内。 潘尧称，该产品售价为普通硅片的20至30倍，目前已形成一定量产规模，公司正规划推进12英寸SOI产线。
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最新进展11月2日 11:05
专访迈姆思潘尧：不走离子注入，SOI晶圆如何差异化破局报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月2日
- 与非网 · 半导体与工程专访迈姆思潘尧：不走离子注入，SOI晶圆如何差异化破局
苏州迈姆思半导体总经理潘尧在纳博会专访中介绍，公司做硅光SOI晶圆不用离子注入，绕开海外厂商主导的专利授权路线，器件层厚度100纳米到2微米均可实现，顶层硅均匀性在±0.1微米以内。产品售价为普通硅片的20到30倍，已形成一定量产规模，正规划推进12英寸SOI产线。
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