VPD垂直供电成AI芯片性能瓶颈，三条路线竞逐
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VPD垂直供电成AI芯片性能瓶颈，三条路线竞逐
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AI 综述
VPD垂直供电正成为AI芯片性能的隐形天花板，其核心是缩短电流路径、降低供电阻抗。目前主要有三条技术路线：背面供电、TSV垂直通道供电和片内分区垂直功率岛。 产业链落地方面，台积电凭SoIC与背面供电工艺成为高端AI芯片VPD最大落地厂商；英特尔PowerVia已在Intel 20A/18A商用；Vicor分比式FPA架构被英伟达Rubin架构指定为供电方案。
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最新进展10月29日 14:00
VPD垂直供电如何成为AI芯片性能的隐形天花板报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月29日
- 与非网 · 半导体与工程VPD垂直供电如何成为AI芯片性能的隐形天花板
文章梳理了VPD垂直供电的三条技术路线，包括背面供电、TSV垂直通道供电和片内分区垂直功率岛，并指出其核心是缩短电流路径、降低供电阻抗。产业链方面，台积电凭SoIC与背面供电工艺成为高端AI芯片VPD最大落地厂商，英特尔PowerVia已在Intel 20A/18A商用，Vicor分比式FPA架构被英伟达Rubin架构指定为供电方案。
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